日本佳能宣布将于2023年1月初销售新型半导体光刻机——i线步进光刻机FPA-5520iVLF2Option。据悉，在半导体芯片的制造过程中，光刻机负责曝光电路图案。
在一系列曝光过程中，在硅晶片上制造半导体芯片的过程称为前端过程。保护精密半导体芯片不受外部环境的影响，并在安装过程中实现与外部电气连接的包装过程称为后端过程。
佳能介绍，通过0.8μm的高解图像力和拼接曝光技术，可以对100x100mm的超大视场进行曝光，从而实现2.5D与3D技术相结合的超大型高密度布线包的量产。
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与去年4月发布的前一代产品FPA-520iVLFOption相比，新产品可以将像差抑制到四分之一以下，视场尺寸也比52x68mm大幅增加。所谓的i线，也就是来自波长365nm的水银灯，明显不同于EUV光刻机使用的13.5nm波长激光等离子体光源。
根据佳能的说法，佳能开售光刻机，包装的高密度布线也被认为是实现高性能的技术之一，除了芯片的细化。可以预见，随着对高性能半导体器件先进包装需求的增加，佳能开售光刻机，半导体光刻机在后期工艺中的市场将继续扩大。
