Intel一直在积极推进四年五代工艺节点的战略，2021-2024年间将陆续投产7、4、3、20A、18A。其中，20A、18A将迈入埃米时代，大致可以理解为相当于2nm、1.8nm，表现优异。Intel 20A工艺将引入两种全新的工艺，PowerVia背部供电和RibbonFET全环绕栅极晶体管。
通过PowerVia技术，传统位于芯片正面的供电层改到背面，可以降低供电噪声、电阻损耗，优化供电分布，提高整体能效。在即将举办的VLSI Symposium 2023研讨会上，Intel将展示基于4工艺的测试芯片，使用PowerVia技术，该芯片采用E核架构，面积仅为2.9平方毫米，得益于PowerVia技术，利用率超过90％的区域占据大部分。此外，PowerVia技术还带来超过5％的频率提升，吞吐时间略高但可接受，功耗发热情况符合预期。除了自家产品，Intel还计划使用PowerVia技术为客户代工，提前展示其能力。
