5 月 18 日消息,采用 12 奈米制程工艺的三星 16G DDR5 DRAM 已经开始大量生产。
与上一代产品相比,三星 12纳米的 DDR5 DRAM 的速率达到了 7.2Gbps,功耗降低了 23%,同时将晶圆的生产效率提高了 20%。
根据三星去年公布的工艺讲解,三星在 12 奈米制程技术上使用了一种新的 high-κ 高介电材料,有助于提高电池电容。而在高电容的情况下,数据信号出现明显的电势差,更容易进行准确区分。
5 月 18 日消息,采用 12 奈米制程工艺的三星 16G DDR5 DRAM 已经开始大量生产。
与上一代产品相比,三星 12纳米的 DDR5 DRAM 的速率达到了 7.2Gbps,功耗降低了 23%,同时将晶圆的生产效率提高了 20%。
根据三星去年公布的工艺讲解,三星在 12 奈米制程技术上使用了一种新的 high-κ 高介电材料,有助于提高电池电容。而在高电容的情况下,数据信号出现明显的电势差,更容易进行准确区分。
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