2021年在缺芯的主旋律下度过，虽然芯片短缺，但是半导体行业的营收、增长等各方面还是非常不错的。光刻机巨头ASML在1月19日公布2021年财报，第4季度及2021全年业绩均创历年新高且优于预期。ASML在2021年营收为186.11亿欧元，同比增长35%，毛利率52.7%，净利润为58.83亿欧元。其中，2021年第4季营收为49.86亿欧元，净利润为17.74亿欧元，毛利率54.2%。
ASML在2021年共销售287台光刻系统，贡献136.53亿欧元。其中42台为EUV光刻系统机，贡献约63亿欧元营收，销售额占比高达46%;ArFi光刻系统81台，销售额占比36%;ArF光刻系统131台，销售额占比10%;i-Line光刻系统33台，销售额占比1%。从光刻系统的最终用途来看，70%用于逻辑半导体制程，30%用于存储芯片的制造。最终出货地方面，中国台湾地区贡献的销售额占比高达44%，韩国占比35%，中国大陆占比16%。
ASMLCEO温彼得表示从2018年获得第一份TWINSCANEXE:5000的订单开始，ASML已经收到四份这款光刻机的订单。EXE:5000主要面向3nm工艺，第二代的0.55NAEUV光刻机TWINSCANEXE:5200将会被用于2nm工艺的生产。
新增订单方面，AMSL在2021年的全年新增订单为262.40亿欧元，其中一半来自于EUV光刻机。2021年第4季度金额为70.50亿欧元。不仅如此，ASML还宣布第二代高数值孔径(High-NA)光刻机TWINSCANEXE:5200在2022年一季度获得首个订单，意味着可用于2nm芯片制造的光刻机，有望在2024年交付。
温彼得表示2021年ASML的EUV出货量增长不高的原因，是由于第三季度物流中心和供应链影响造成的。但这部分已由EUV光刻机的安装和升级等基础收入补偿，特别是ASML称为生产力提升包的大量安装，为客户提供生产力升级。
ASML还公布2022年第一季度营收，在33-35亿欧元之间，毛利率约49%。预计第一季度研发成本约7.6亿欧元，SGa成本约为2.1亿欧元。
对于2022全年的业绩预期，ASML乐观的认为会保持同比约20%左右的营收增长。预计2022年的EUV光刻机的出货量将达55台，其中6台的收入将会推迟到2023年确认。ASML预计2023年EUV光刻机的出货量将增长到60台。在安装基础选项方面，温彼得表示，2021年的基础选项安装增长强劲，客户对于安装基础选项的需求增加很多，预计2022年仍将增长约10%。
台积电、三星、英特尔在大力投资相关技术，按照芯片制造商的规划，未来两年的先进工艺将来到3nm，2024年后逐渐步入2nm(intel20A)，以满足高性能计算等先进芯片需求。3/2nm工艺的实现则需要依赖于ASML新一代的高数值孔径(High-NA)EUV光刻机EXE:5000系列。
目前主流的5nm等工艺使用的EUV光刻机，是ASML采用基于0.33数值孔径透镜的EUV光刻系统，0.33数值孔径透镜的EUV光刻系统的分辨率为13纳米，迭代的EXE:5200具有0.55数值孔径的镜头，分辨率可达8纳米，并且拥有更高的生产效率和成本的更低。KeyBanc称，一台0.55NAEUV光刻系统的预计成本为3.186亿美元，正在出货的EUV光刻机则是1.534亿美元，价格肌肤翻倍。
根据ASML的路线图，TWINSCANEXE:5000会在2022年下半年出货，每小时可生产185片晶圆。TWINSCANEXE:5000则在2024年底出货，每小时可生产超220片晶圆。
英特尔在2021年7月底的Intel加速创新制程工艺和封装技术线上发布会上宣布，将在2024年量产20A工艺(相当于台积电2nm工艺)，并率先获得业界第一台High-NAEUV光刻机，而ASML的TWINSCANEXE:5200光刻机的首份订单来源于英特尔。
对于英特尔来说，抢先获得ASMLTWINSCANEXE:5200光刻机，是英特尔在制程工艺上超越台积电、三星，重回领先地位的关键。台积电和三星此前也在争夺HightNAEUV光刻机，2021年10月初，三星率先宣布将在2022年上半年量产3nm工艺，并计划在2025年抢先台积电量产2nm。
在英特尔获得首台TWINSCANEXE:5200光刻机之后，消息称三星也在紧急抢购一台HightNAEUV光刻机，并要求ASML直接拉到三星工厂内进行测试。台积电也在此前的法说会上表示，2025年台积电2nm制程不论是密度或是效能，都将是最领先的技术。
