您现在的位置: 首页 > 主板 > 正文

超值组合 梅捷 H610M配千元入门神U

2022-08-10 16:59:55 来源:互联网 编辑:ITCN
  • +1 你赞过了

英特尔第十二代处理器正式上市一段时间,对于很多DIY电脑玩家来说,全新的架构加上全新的工艺显得非常诱惑,不过曾经十代的i5-10400F,从性能上来说虽十分能打,不过看到价格却有些令人犹豫。今天我们就为大家介绍一下12代超值入门组合i3-12100F和梅捷 H610M主板。

首先,从价格方面来看,目前市面上i5-10400F散片在800元左右价位,而i3-12100F价格在880元左右,这不够100元的差价,性能差距大吗?

我们再来看下参数i5-10400F是6核心12线程,14nm工艺,默认频率为2.9Ghz,可以睿频到4.3Ghz,功耗为65W。而i3-12100F是4核心8线程,7nm工艺,默认频率为3.3Ghz,可以睿频到4.3Ghz,功耗为58W。

综合实力来分析,i5-10400F更高,得益于多了2个核心和4个线程。不过从单核性能来看,i3-12100F却高一些,得益于新的架构和工艺,但是这些差异从性能上面看,对于单核要求高的游戏,必然表现很好一些。

那么搭配这个12代入门性价比U,选择同样入门级定位的梅捷 H610就显得超值了。但选择梅捷 H610的用户,可能会有这样的疑惑既然是入门级的产品,那会不会在关键的主板供电部分用料做一定的缩减啊?多年研发经验的板卡品牌梅捷,就推出了一款入门级甜点主板梅捷 H610M,供电令人惊喜。

梅捷品牌在这次的600系列主板中,为了让大家可以用更好的价格体验intel12代酷睿,竟然连入门级的梅捷 H610主板,在供电用料上也采用了DR.MOS!

DR.MOS技术早期属于服务器主板先进技术,三合一封装的DR.MOS面积是分离MOSFET的1/4,功率密度是分离MOSFET的3倍,增加了超电压和超频的潜力。应用DR.MOS的主板能拥有节能、高效能超频、低温等特色。而目前,更多是只有中端或以上的主板才会在供电部分使用到这样DR.MOS。

那这款主板的基本规格参数是怎样的呢?下面我们一起来看下!

梅捷 H610M

虽然作为梅捷600系列主板入门级的型号,但供电部分用料令人惊叹,沿用了B660的供电方案,8+1相50ADR.MOS供电,外加1相VCC_AUX,共10相供电。这是在目前众多已发售的入门级主板上罕见的做法。

内存方面,提供2根DDR4内存插槽,频率可以达到3200MHz,最大容量能够达到64GB。

主板提供1条PCIex16 4.0显卡插槽和1条PCIex1插槽。1个PCIe3.0通道的M.2插槽,支持nvme固态硬盘。

由于是入门级的定位,扩展性就相对没有那么强了。但人性化的CLR_CMOS按钮和DEBUG灯仍然保留。

I/O接口方面,1个DP、1个VGA和1个HDMI,支持3屏输出;2个USB3.2和4个USB2.0接口,还有常见的千兆有线网卡、5.1声道音频接口。

有了Dr.MOS的加持,梅捷 H610M主板甚至能提供越级的使用体验,搭配12代入门级处理器,将性价比一词更好的表现出来。

Tags:梅捷 H610M

今日话题